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J-GLOBAL ID：200903034615259290

磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法および製造装置

Inventor： 西村 直樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998160892
Publication number (International publication number)：1999353868
Application date： Jun. 09, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 SN比を向上させるとともに動作マージンの拡大およびデータ保持の信頼性の良好な磁性薄膜メモリ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜を有する磁性薄膜メモリ素子を、180(Oe)以上で450(Oe)以下の磁界を基板面内方向に印加しながら成膜して作成することを特徴とする磁性薄膜メモリ素子の製造方法の提供。

Claim (excerpt)：

低い保磁力を有する第1磁性層と、高い保磁力を有する第2磁性層が、非磁性層を介して積層され、該第1磁性層の磁化の向きと該第2磁性層の磁化の向きの相対角度によって異なる抵抗値を示す磁気抵抗膜を有する磁性薄膜メモリ素子を、180(Oe)以上で450(Oe)以下の磁界を基板面内方向に印加しながら成膜して作成することを特徴とする磁性薄膜メモリ素子の製造方法。

IPC (2)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (2)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z