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J-GLOBAL ID：200903034622823443
バンプ形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田辺 恵基
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995276323
Publication number (International publication number)：1997097795
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：
【要約】【課題】本発明は、バンプを簡易かつ低コストで形成し得るバンプ形成方法を実現するものである。【解決手段】バンプ形成対象物に形成された各第1の電極のうち基板の対応する第2の電極との位置関係が一致しない第1の電極が存在する場合、当該第1の電極の対応する第2の電極との位置関係に応じて、当該第1の電極と当該第1の電極に対応する第2の電極のバンプ形成対象物上に形成された第1の絶縁層上における所定位置との間に金属化合物生成防止用の金属多層膜を形成する。これにより対応する第2の電極との位置関係が一致しない第1の電極から当該第1の電極に対応する第2の電極の第1の絶縁層上における所定位置まで電気的に接続する工程と、各第1の電極及び対応する各第2の電極間に金属多層膜を形成する工程とを一括して行うことができ、かくしてバンプを簡易かつ低コストで形成し得るバンプ形成方法を実現し得る。
Claim (excerpt)：
バンプ形成対象物の一面に複数形成された第1の電極にそれぞれ対応する第2の電極が形成された基板に装着されるバンプを形成するバンプ形成方法において、各上記第1の電極上に所定の大きさでなる開口が形成されるように上記バンプ形成対象物の一面及び各上記第1の電極上に第1の絶縁層を形成する第1の工程と、各上記開口に露出した各上記第1の電極上に金属間化合物生成防止用の金属多層膜を形成すると共に、各上記第1の電極のうち対応する上記第2の電極との位置関係が一致しない上記第1の電極が存在する場合、当該第1の電極の対応する上記第2の電極との位置関係に応じて、当該第1の電極と当該第1の電極に対応する上記第2の電極の上記第1の絶縁層上における所定位置との間に上記金属多層膜を形成する第2の工程と、対応する上記第2の電極との位置関係が一致しない上記第1の電極上に形成された上記金属多層膜の上記所定位置上に所定の大きさでなる開口が形成されるように、当該金属多層膜上に第2の絶縁層を形成する第3の工程と、各上記金属多層膜上に所定のバンプ材でなるバンプを形成する第4の工程とを具えることを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (2)：
FI (5)：
H01L 21/92 602 L
, H05K 1/09 C
, H01L 21/92 604 N
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 C
