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J-GLOBAL ID：200903034633068361

SOI基板構造及びその製造方法

Inventor： 小此木 堅祐
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318983
Publication number (International publication number)：1994163862
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ゲッタリング効果を有するSOI基板において、埋込み酸化膜上にゲッタリング層を設けて貼り合わせ面の接着強度を大きくし、かつコストを低減する。【構成】 単結晶シリコン基板4の表面に二酸化シリコン膜3が形成され、その上にリン高濃度拡散層2が存在し、さらにその表面上にデバイスが作製される単結晶シリコン層1が形成されている。これにより、ゲッタリング層の薄膜化や貼り合わせ熱処理によりゲッタリング効果が小さくなることが改善され、またエピタキシャル成長やIG処理等を施す必要がないために、コストの低減化が可能となる。

Claim (excerpt)：

二酸化シリコン膜と、貼合せ層と、単結晶シリコン層とを有するSOI基板構造であって、二酸化シリコン膜は、単結晶シリコン基板上の全面に設けられたものであり、貼合せ層は、リン高濃度拡散層又はイオン注入層又は格子不整合層であり、二酸化シリコン膜上に設けられたものであり、単結晶シリコン層は、中間層上に設けられたものであることを特徴とするSOI基板構造。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-058873
  
• 特開昭57-133637
  
• 特開平2-191341
  
• 特開昭62-172715