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J-GLOBAL ID：200903034640579673
プラズマ処理装置及びその制御方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331283
Publication number (International publication number)：1996162444
Application date： Dec. 08, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低圧条件下であってもプラズマの高密度化及び均一化を図ることができるプラズマエッチング装置を提供する。【構成】 本発明装置は、処理室(2)内に配置され被処理体が載置される下部電極(4)と、その下部電極に対向する位置に配置される上部電極(21)と、上部及び下部電極にそれぞれ独立に高周波電力を印加する高周波発振器とを備えており、下部電極を昇降自在に構成するとともに、被処理体を搬入搬出するための開口部を前記処理室の下方に設け、被処理体の搬入搬出領域との被処理体の処理領域とを分割するように構成している。
Claim (excerpt)：
処理室内に配置され被処理体が載置される下部電極と、前記処理室内において前記下部電極に対向する位置に配置される上部電極と、前記上部電極に高周波電力を印加する第1高周波発振器と、前記下部電極に高周波電力を印加する第2高周波発振器とを備えたプラズマ処理装置において、前記下部電極を昇降自在に構成するとともに、被処理体を搬入搬出するための開口部を前記処理室の下方に設け、被処理体の搬入搬出領域と被処理体の処理領域とを分割したことを特徴とするプラズマ処理装置。
FI (2)：
H01L 21/302 C
, H01L 21/302 N
