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J-GLOBAL ID:200903034643827988

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997195548
Publication number (International publication number):1999040871
Application date: Jul. 22, 1997
Publication date: Feb. 12, 1999
Summary:
【要約】【構成】 波長変換層を光電変換層上に積層した光電変換素子であって、該波長変換層が0.0001〜5体積%のランタノイド陽イオンを含有し、該陽イオンの粒子中心間距離が7Å以上であることを特徴とする光電変換素子。【効果】 本発明の光電変換素子は、互いに凝集することなく分散した該ランタノイド陽イオンを含有する波長変換層を有する。そして、該陽イオンの蛍光能により特に紫外光のエネルギーを利用できるため、著しく増強された光電変換能を示し、例えば、太陽電池、電子写真感光体等の形態で使用され、その実用価値は極めて大である。
Claim (excerpt):
波長変換層を光電変換層上に積層した光電変換素子であって、該波長変換層が0.0001〜5体積%のランタノイド陽イオンを含有し、該陽イオンの粒子中心間距離が7Å以上であることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01L 51/10 ,  H01L 31/08

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