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J-GLOBAL ID:200903034644413834

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐野 静夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992123008
Publication number (International publication number):1993326618
Application date: May. 15, 1992
Publication date: Dec. 10, 1993
Summary:
【要約】【目的】組立後の小型軽量化を実現できる半導体装置を提供する。【構成】(a)に示すように、ダイオード20の表面には、電極21及び22が形成されており、各々と電気的に導通する側面電極23及び24が形成されている。25は、樹脂等で形成された保護膜である。(b)は断面図である。セラミック基板26上にダイオードチップ27を載置して、バンプ28及び29を形成している。前記電極21及び22は、このバンプ28及び29に、それぞれ接続して形成されたものである。ダイオード20の周縁部は、(c)に示すように、正面及び背面は保護膜25とセラミック基板26となっており、また、側面は側面電極23、24に被覆されている。
Claim (excerpt):
半導体チップと、前記半導体チップの電極部に形成されたバンプと、前記バンプを設けた前記半導体チップの表面を前記バンプが一部露出するように被覆する保護膜と、前記保護膜上に形成され前記バンプと電気的に導通するべく一部が前記バンプと接合した電極と、から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12

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