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J-GLOBAL ID：200903034645612164
半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991174121
Publication number (International publication number)：1993021892
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 InP基体を用いて短波長発光レーザを構成する。【構成】 InP基体上にクラッド層2,3と、活性層4とをエピタキシャル成長させ、そのクラッド層2,3をMgZnCdSe系のII-VI族化合物半導体によって構成する。
Claim (excerpt)：
InP基体上に、少くとものクラッド層と、活性層とがエピタキシャル成長されて成り、少くとも上記クラッド層がMgを含むII-VI族化合物半導体より成ることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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