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J-GLOBAL ID：200903034662749807

薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子

Inventor： 八木 茂
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001379779
Publication number (International publication number)：2003179233
Application date： Dec. 13, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 透明で光を透過することができ、さらに、画素単位に光不透過部分が少なく、トランジスタの極限の大きさまで画素単位を小さくすることができ、製造工程が簡単で、明るく、消費電力の少ない表示素子を得ることができる薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子を提供すること。【解決手段】 透明基板20上に、Al,Ga,Inから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層26と、前記透明半導体層26に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極28及び透明ドレイン電極30と、透明ゲート電極22と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、Al,Ga,Inから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層と、前記透明半導体層に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極及び透明ドレイン電極と、透明ゲート電極と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368

FI (2)：

G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 618 B

F-Term (39)：

2H092JA26 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA08 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK07 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33