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J-GLOBAL ID：200903034664470842

ITOのエッチング方法

Inventor： 高畠 勝 ,  和久井 陽行 ,  三村 秋男 ,  小西 信武 ,  折付 良二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303900
Publication number (International publication number)：1994151375
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 インジウム・スズ酸化物(ITO)のエッチング処理速度を速め、ITOとレジストとの選択比を向上させるITOのエッチング方法の提供。【構成】 基板1上に形成されたITO膜2を、フォトレジスト層3のマスクを用いてエッチングガスによりエッチングするITOのエッチング方法においては、エッチングガスとして臭素系化合物(例えば、HBr)を主成分とするガス4または臭素系化合物を含有(例えば、HBr+BCl3 )するガスを用いる。また、基板1上に形成されたITOと高融点金属との積層体を、フォトレジス層3のマスクを用いてエッチングガスによりエッチングするITOのエッチング方法においては、エッチングガスとして臭素系化合物を含有(例えば、HBr+BCl3 )するガスを用いる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたインジウム・スズ酸化物(ITO)を、レジストマスクを用いてエッチングガスによりエッチングするインジウム・スズ酸化物(ITO)のエッチング方法において、前記エッチングガスとして臭素系化合物を主成分とするガスまたは臭素系化合物を含有するガスを用いることを特徴とするインジウム・スズ酸化物(ITO)のエッチング方法。