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J-GLOBAL ID：200903034668473153

化合物半導体の加工方法

Inventor： 杉本 喜正
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186566
Publication number (International publication number)：1993036655
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体基板が大気に汚染されることなくパターンを形成し、必要に応じてその後薄層の結晶成長を行う埋め込み構造の形成方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板の表面にマスク層14として、アルミニウムを含む層を単原子ないし数原子層形成し、このマスク層14を集束イオンビーム15でスパッタしてパターンを形成し、その後、光照射エッチングで下地のInP層12又はInGaAs活性層13をエッチングし、その後マスク層14を別のガスで除去してパターンを形成する工程を真空容器内で連続して行う。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板の表面にマスク層として、アルミニウムを含む層を単原子ないし数原子層エピタキシャル成長させる第1の工程と、前記マスク層を集束イオンビームを用いてパターン形成する第2の工程と、前記化合物半導体基板の表面に第1のガスを接触させ、同時に光を照射して半導体基板をエッチングする第3の工程と、前記化合物半導体基板の表面に第2のガスを接触させてマスク層をエッチングする第4の工程とを含み、第1から第4の工程は、それぞれ1×10-5Torr以下の真空容器内でそれぞれ連続して行うものであることを特徴とする化合物半導体の加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205