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J-GLOBAL ID：200903034675387661

半導体装置およびその製法

Inventor： 五十嵐 一雅 ,  北村 富士夫 ,  長沢 徳
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991133417
Publication number (International publication number)：1993067703
Application date： May. 08, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】〔構成〕 下記の(A)〜(C)成分を含み、下記の(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の70〜85重量%に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止して半導体装置を製造する。この製造において、後硬化工程を省略する。(A)下記の一般式(1)で表される結晶性エポキシ樹脂。【化1】(B)下記の一般式(2)で表されるフエノールノボラツク樹脂。【化2】(C)無機質充填剤。〔効果〕 半田実装におけるような過酷な条件下においてもパツケージクラツクを生ずることなく、優れた耐湿信頼性を備えている。しかも、封止樹脂の後硬化工程を省略するため、封止作業性の高効率化を実現できる。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含み、下記の(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の70〜85重量%に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表される結晶性エポキシ樹脂。【化1】(B)下記の一般式(2)で表されるフエノールノボラツク樹脂。【化2】(C)無機質充填剤。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/22 NHQ ,  C08G 59/62 NJS

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-047827
  
• 特開平3-093828
  
• 特開平4-218523
  
• 特開平3-220226