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J-GLOBAL ID：200903034677491563

光学素子の製造方法及び光学装置

Inventor： 澤木 大輔 ,  尼子 淳 ,  上島 俊司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003156829
Publication number (International publication number)：2004359475
Application date： Jun. 02, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】所望の形状のパターンを正確に形成することができる光学素子の製造方法等を提供すること。【解決手段】パルスレーザ光が入射する第1面120aと第1面120aと所定の厚さd2を隔てて設けられパルスレーザ光が射出する第2面120bとからなる石英基板120に対して、パルスレーザ光の集光位置f1と、石英基板120内の第2面120b近傍の位置とが略一致するように相対的に位置決めするアライメントを行う。そして、石英基板120に対して、パルスレーザ光を照射して、第2面120b近傍の物性を変化させて変質領域400を形成する。石英基板120のエッチングレートと、変質領域400のエッチングレートとが異なる状態において、石英基板120を溶液を用いてエッチング処理することで、所望のパターンを形成する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

超短パルスレーザ光源からのレーザ光を集光位置近傍に集光又は重ね合わせるレーザ光集光工程と、 前記レーザ光が入射する第1面と前記第1面と所定の厚さを隔てて設けられ前記レーザ光が射出する第2面とからなる光学的透明基板に対して、前記レーザ光の前記集光位置と、前記光学的透明基板内の前記第2面近傍の位置とが略一致するように相対的に位置決めするアライメント工程と、 前記アライメント工程で位置決めされた前記光学的透明基板に対して、前記レーザ光を照射するレーザ光照射工程と、 前記レーザ光が集光された前記光学的透明基板内の前記第2面近傍の物性を変化させて変質領域を形成する変質領域形成工程と、 前記光学的透明基板のエッチングレートと、前記変質領域のエッチングレートとが異なる状態において、前記光学的透明基板を溶液を用いてエッチング処理するエッチング工程と、 を含むことを特徴とする光学素子の製造方法。

IPC (4)：

C03C23/00 ,  C03C15/00 ,  G02B26/08 ,  H01S3/00

FI (4)：

C03C23/00 D ,  C03C15/00 Z ,  G02B26/08 E ,  H01S3/00 B

F-Term (20)：

2H041AA14 ,  2H041AB14 ,  2H041AC04 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ02 ,  2H041AZ08 ,  2H091FA23Z ,  2H091FA29Z ,  2H091FC26 ,  2H091FD06 ,  2H091GA13 ,  2H091LA16 ,  4G059AA11 ,  4G059AB11 ,  4G059AB19 ,  4G059AC30 ,  4G059BB04 ,  4G059BB16 ,  5F072SS08 ,  5F072YY06