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J-GLOBAL ID：200903034689140839

窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法

Inventor： 関 洋二
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998178916
Publication number (International publication number)：2000012901
Application date： Jun. 25, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 エピタキシャル層の成長に伴う熱歪みを抑制して基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶を製造する方法において、前記単結晶基板(例えば、NdGaO3単結晶基板)の表裏両面に窒化ガリウム系化合物半導体(例えば、GaN)の単結晶膜を成長させるようにした。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶を製造する方法において、前記単結晶基板の表裏両面に窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶膜を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

F-Term (27)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF13 ,  5F045AF16 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP09 ,  5F045DQ08 ,  5F045HA16