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J-GLOBAL ID：200903034697800929

化合物半導体層の評価方法

Inventor： 中村 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246802
Publication number (International publication number)：1996086754
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【構成】 基板上に成長された化合物半導体層を、濃度勾配をつけたエッチング液中に浸漬して、傾斜をつけた加工を行い、加工された表面をフォトルミネッセンス法によるスペクトル分析を行う。【効果】 化合物半導体層内の深さ方向の組成の分布を精度良く測定できる。

Claim (excerpt)：

基板上に成長させた化合物半導体層を、その断面に対して傾斜をつける加工を行い、加工された表面をフォトルミネッセンス法によるスペクトル分析を行うことを特徴とする化合物半導体層の評価方法。

IPC (4)：

G01N 21/64 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-308542
  
• 特開昭53-144395