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J-GLOBAL ID：200903034712163124

静電誘導型トランジスタ

Inventor： 山原 基裕 ,  藤井 暁義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002129161
Publication number (International publication number)：2003324203
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 導電性高分子を用いた静電誘導型トランジスタの特性および/または信頼性を改善する。【解決手段】 本発明の静電誘導型トランジスタ30は、第1電極1と、第2電極2と、これらの間に設けられ、且つ、第1電極1と第2電極2との間の電流通路である半導体層3と、半導体層3の中に埋め込まれた第3電極4とを備え、第3電極4に印加する電圧を制御することにより、第1電極1と第2電極2との間の電流量を制御する。半導体層3は第1の超分岐高分子を含む。さらに、半導体層3は、第1の超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有している。

Claim (excerpt)：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、且つ、前記第1電極と前記第2電極との間の電流通路である半導体層と、前記半導体層の中に埋め込まれた第3電極とを備え、前記第3電極に印加する電圧を制御することにより、前記第1電極と前記第2電極との間の電流量を制御する静電誘導型トランジスタであって、前記半導体層は少なくとも第1の半導体層を有し、前記第1の半導体層は第1の超分岐高分子を含み、且つ前記第1の超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、静電誘導型トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/80 ,  C08L101/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 51/00

FI (8)：

C08L101/00 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 D ,  H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 F

F-Term (11)：

4J002CE001 ,  4J002CH061 ,  4J002CM011 ,  4J002GQ00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01