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J-GLOBAL ID：200903034723758839

酸化タンタル薄膜の製造方法

Inventor： 鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  澁谷 宗裕 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992306776
Publication number (International publication number)：1994163519
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 真空槽内にTa系原料ガスおよび水蒸気(H2 O)の混合ガスを導入し、外部よりエネルギーを印加して前記原料ガスを分解することにより、高耐圧、低リーク電流などの絶縁性に優れた酸化タンタル薄膜を形成する。【構成】 酸化タンタル薄膜は、例えばプラズマCVD法などにより、300°Cに加熱されたSiなどの基体3上に、Ta(OC2 H5 )5 などのTa系原料ガスを流量制御されたHeなどの不活性ガスによりバブリングして真空槽1内に導入し、酸化性ガスとして水蒸気(H2 O)を同時に導入してプラズマ分解させ、気相中にて反応させることにより、絶縁性に優れた薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

酸化タンタル薄膜を気相成長させる方法であって、真空槽内に基体を設置し、前記真空槽内にTa系原料ガスおよび水蒸気(H2 O)の混合ガスを導入し、外部よりエネルギーを印加して前記原料ガスを分解することにより前記基体上に酸化タンタル薄膜を気相成長させることを特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108