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J-GLOBAL ID：200903034727380989

半田材料及びそれを用いた電子部品

Inventor： 小柏 俊典 ,  有川 孝俊 ,  横沢 眞▲観▼ ,  青井 和廣 ,  澤田 良治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  田中電子工業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996275087
Publication number (International publication number)：1998118783
Application date： Oct. 17, 1996
Publication date： May. 12, 1998
Summary：

【要約】【課題】 パラジウム(Pd)を0.005-3.0重量%、錫(Sn)を97.0-99.995重量%含有した組成を有し、かつ液相線温度が200-350°Cである半田材料とすることにより、無鉛で熱疲労性能を向上させ、環境に優しくかつ、電子機器の信頼性を向上させる無鉛高温半田材料を提供する。【解決手段】 Sn地金とPdを所定量配合し、真空溶解した後鍛造してインゴットを得、圧延してテープとし、プレス加工して半田ペレットに仕上げる。好ましい組成は、Snを95.0重量%以上、Pdを0.005-3.0重量%含有させ、更に平均粒子直径が40μm前後のNi,Cu等の金属または合金粒子を0.1-5.0重量%加える。ICチップ5の下面のNiめっき4とダイ1表面のNiめっき2とを介して、基板とチップ状の電子素子である半導体のICチップ5とが半田材料3でほぼ平行に接続(ダイボンド)されている。

Claim (excerpt)：

パラジウム(Pd)を0.005〜3.0重量%、錫(Sn)を97.0〜99.995重量%含有した組成を有し、かつ液相線温度が200〜350°Cである半田材料。

IPC (3)：

B23K 35/26 310 ,  H01L 21/52 ,  H05K 3/34 512

FI (3)：

B23K 35/26 310 A ,  H01L 21/52 E ,  H05K 3/34 512 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-174527