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J-GLOBAL ID：200903034750158240

単結晶薄膜形成方法

Inventor： 浅川 俊文
Applicant, Patent owner： 株式会社ニューラルシステムズ ,  株式会社メガチップス
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285674
Publication number (International publication number)：1995118087
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多結晶薄膜を単結晶薄膜へ効率よく転換する。【構成】 石英基板81の上に多結晶Si薄膜82が形成された試料をヒータ87で550 ゚Cに加熱しつつ、Ne原子ビームを互いに70 ゚の角度をもって2方向から多結晶Si薄膜82の表面へ照射する。その結果、ブラベーの法則の作用で、多結晶Si薄膜82の表層部分が、これらのビームの方向が最稠密面の法線方向となるように結晶方位の揃った単結晶Si層へ転換される。つづいて、この単結晶Si層が種結晶となって、縦方向の固相エピタキシャル成長が進行し、多結晶Si薄膜82の全領域が単結晶Si薄膜に転換される。【効果】 縦方向のエピタキシャル成長によって単結晶Si薄膜への転換が進行するので、単結晶Si薄膜の形成が短時間で効率よく行われる。

Claim (excerpt)：

基板上に所定の物質の単結晶薄膜を形成する方法であって、前記基板上に前記所定の物質のアモルファス薄膜または多結晶薄膜をあらかじめ形成しておき、当該所定の物質の結晶化温度以下の高温下で、形成すべき前記単結晶薄膜における方向の相異なる複数の最稠密結晶面に垂直な方向から、前記所定の物質のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの中性原子または中性分子のビームを、前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜へ照射することを特徴とする単結晶薄膜形成方法。

IPC (3)：

C30B 1/08 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-320291
  
• 結晶性薄膜製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-201380   Applicant：東洋紡績株式会社