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J-GLOBAL ID：200903034761688712

単結晶表面の凹凸制御方法

Inventor： 市川 武史
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993014860
Publication number (International publication number)：1993275358
Application date： Feb. 01, 1993
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 単結晶表面に照射されるイオンのエネルギーを制御しながら該単結晶表面の凹凸を制御する方法を提供すること。【構成】 凹凸を有する単結晶表面上に、エネルギの制御されたイオンを照射しながら堆積原子を供給してエピタキシャル成長を行ない前記凹凸を減ずることを特徴とする単結晶表面の凹凸制御方法。【効果】 表面温度とイオンのエネルギーを制御することにより多孔質表面を成長により平坦化することができる。さらに表面温度とイオンのエネルギーを制御することにより多孔質上に孔を持つ多孔質エピタキシャル層を成長させることもできる。

Claim (excerpt)：

凹凸を有する単結晶表面上に、エネルギの制御されたイオンを照射しながら堆積原子を供給してエピタキシャル成長を行ない前記凹凸を減ずることを特徴とする単結晶表面の凹凸制御方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203