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J-GLOBAL ID:200903034768709952
非線形光学材料の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993319603
Publication number (International publication number):1995175095
Application date: Dec. 20, 1993
Publication date: Jul. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 非晶質薄膜中の金属または半導体微粒子の粒径が均一で、良好な非線形光学特性を有する非線形光学材料を得る。【構成】 ターゲット1、2に高周波電源5、6から高周波電力を供給して室温〜200°Cの基板温度でスパッタリングを行い、金属または半導体がイオン状態または原子状態で含まれる非晶質薄膜を基板3上に作製し、その後、熱処理の昇温速度を1°C/秒ないし250°C/秒で加熱し、熱処理して非線形光学材料を得る。
Claim (excerpt):
金属または半導体を含有する非晶質薄膜を基板上に形成した後、熱処理し金属微粒子または半導体微粒子を非結晶薄膜中に分散させて非線形光学材料を製造する方法において、前記非晶質薄膜を基板上に形成する際の基板温度を室温以上200°C以下にすることを特徴とする非線形光学材料の製造方法。
IPC (5):
G02F 1/35 505
, C03C 17/23
, C23C 14/08
, C23C 14/50
, C23C 16/50
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