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J-GLOBAL ID：200903034778981936

高分子化合物及びポジ型レジスト組成物

Inventor： 降▲旗▼ 智欣 ,  加藤 英人 ,  岡崎 智
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131042
Publication number (International publication number)：2000034329
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】 下記式(1)で示される繰り返し単位を有するノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を1,2-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式(2)で示されるトリアジニル基で置換したポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜30,000である高分子化合物。【化1】(式中、mは0〜3の整数を示す。)【化2】(式中、R1、R2、R3、R4はヒドロキシメチル基又は-CH2OR5で示される基を示し、R1、R2、R3、R4中、少なくとも1つは-CH2OR5で示される基を示す。また、R5は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物はポジ型レジスト材料のベース樹脂として有効であり、本発明の高分子化合物を含むポジ型レジスト材料は微細加工においてその感度、解像性、現像性に優れ、層間絶縁膜形成における耐熱性、低温硬化性に特に優れたものである。

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示される繰り返し単位を有するノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を1,2-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式(2)で示されるトリアジニル基で置換したポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜30,000である高分子化合物。【化1】(式中、mは0〜3の整数を示す。)【化2】(式中、R1、R2、R3、R4はヒドロキシメチル基又は-CH2OR5で示される基を示し、R1、R2、R3、R4中、少なくとも1つは-CH2OR5で示される基を示す。また、R5は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。)

IPC (3)：

C08G 8/28 ,  C08L 61/14 ,  G03F 7/023 501

FI (4)：

C08G 8/28 B ,  C08G 8/28 A ,  C08L 61/14 ,  G03F 7/023 501