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J-GLOBAL ID:200903034779658918

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 河野 登夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998144831
Publication number (International publication number):1999067492
Application date: May. 26, 1998
Publication date: Mar. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 マイクロ波の伝搬の均一化及び小型化を図ったプラズマ処理装置。【解決手段】 円筒形状を有する反応室1の上側には、エアギャップ2を介してマイクロ波導入窓4と誘電体線路13とが対向配置されたマイクロ波導入部11が配されている。マイクロ波導入室11の上面には誘電体線路13と平行に導波管12が配され、アンテナ部15を介して連結されている。アンテナ部15は導波管12の反射端12eから4分の1マイクロ波管内波長分だけ離れた位置に貫設されており、導波管12の下側で金属板を介して配された誘電体線路13の中心部と、アンテナ部15によって連結されている。
Claim (excerpt):
マイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器からのマイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に高周波的に結合された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓と、該マイクロ波導入窓から導入されるマイクロ波によりプラズマが生ぜしめられる反応室とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘電体線路は、その線路方向を前記導波管の管軸方向と平行に配しており、前記導波管から前記誘電体線路へのマイクロ波の導入が前記管軸方向及び線路方向に交わる方向になされるべく、前記導波管と前記誘電体線路とを結合するためのアンテナ部を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (5):
H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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