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J-GLOBAL ID：200903034785933041

電力用半導体装置

Inventor： 杉山 公一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000197580
Publication number (International publication number)：2002017080
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ターンオフ電流が小さな領域でも、短いターンオフ時間でかつ低いターンオフ損失で高度なスイッチ制御を可能とする電力用半導体装置を提供すること。【解決手段】 お互いに並列に接続された複数の電力用スイッチング素子1、2と、この複数の電力用スイッチング素子1、2に流れる電流の値に応じて、ターンオフ時における当該複数の電力用スイッチング素子1、2の通電素子数を制御する制御部(制御端子はG1、G2)とを具備することを特徴とする電力用半導体装置。

Claim (excerpt)：

お互いに並列に接続された複数の電力用スイッチング素子と、この複数の電力用スイッチング素子に流れる電流の値に応じて、ターンオフ時における前記複数の電力用スイッチング素子の通電素子数を制御する制御部とを具備することを特徴とする電力用半導体装置。

F-Term (9)：

5H740AA05 ,  5H740BA11 ,  5H740BB02 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740JB01 ,  5H740MM11 ,  5H740PP02