Pat
J-GLOBAL ID:200903034789744430

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992132452
Publication number (International publication number):1993326769
Application date: May. 25, 1992
Publication date: Dec. 10, 1993
Summary:
【要約】【目的】本発明は放熱部材を有する半導体装置に関し、薄型化を図りつつ放熱性を向上することを目的とする。【構成】半導体素子13を封止するパッケージ14と、半導体素子13と外部回路とを電気的に接続するリード15とを具備する装置本体11と、上記パッケージ14の表面部に接着剤18を介して接合された放熱板12とにより構成される半導体装置において、上記放熱板12のパッケージ14と接合される面に接合部12bを形成すると共に、この接合部12bと異なる面に放熱部12aを形成し、かつ放熱部12aの面積を接合部12bの面積に対して大きくしてなるよう構成する。
Claim (excerpt):
半導体素子(13)を封止するパッケージ(14)と、該パッケージ(14)より外部に延出した部位を有し該半導体素子(13)と外部回路とを電気的に接続するリード(15)とを具備する装置本体(11)と、該パッケージ(14)の表面部に接合剤(18)を介して接合された放熱板(12,21,31,41)と、により構成される半導体装置において、該放熱板(12,21,31,41)の該パッケージ(14)と接合される面に接合部(12b,21b,31b,41b)を形成すると共に、該接合部(12b,21b,31b,41b)と異なる面に放熱部(12a,21a,31a,41a)を形成し、かつ該放熱部(12a,21a,31a,41a)の面積を該接合部(12b,21b,31b,41b)の面積に対して大きくしてなるよう構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 23/40 ,  H01L 23/36
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭57-162452
  • 特開平2-307251

Return to Previous Page