CVD装置用ガストラップ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000525599
Publication number (International publication number)：2001527158
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】ホットトラップは、CVDプロセスの排気流から未反応有機金属膜前駆体を変換する。変換された前駆体がホットトラップの表面上に金属膜を形成することにより、それにより熱い真空ポンプ表面を金属蓄積から保護する。ホットトラップ下流のコールドトラップは、排気流から発出物を凍結する。ホットトラップで補足され金属と、コールドトラップで補足された発出物はその後、環境への排出物として放出されることなくリサイクルされることができる。

Claim (excerpt)：

化学的気相堆積プロセスからの発出ストリーム内の未反応金属膜前駆体を変換するための装置であって、導管によりプロセスチャンバへ接続されたホットトラップであって、前記ホットトラップは、前記配管を介して前記プロセスチャンバからの前記発出ストリームを受け取り、ここで前記ホットトラップは、前記未反応の金属膜前駆体の少なくとも一部を分解するのに十分な第1温度まで加熱される第1表面を有し、もって変換された発出ストリームを提供するように成したホットトラップと、前方配管により前記ホットトラップへ接続された真空ポンプであって、、前記真空ポンプは、前記プロセスチャンバと排気ポート間の圧力差を提供する能力があり、前記真空ポンプは、前記ホットトラップから前記変換された発出ストリーム流を受け取り、そして前記排気ポートを介して前記変換された発出ストリームを排気するように成した真空ポンプと、を備える装置。

IPC (2)：

C23C 16/44 , B01D 8/00

FI (2)：

C23C 16/44 E , B01D 8/00 Z

F-Term (23)：

4D076AA14 , 4D076BE03 , 4D076BE09 , 4D076CD22 , 4D076EA09X , 4D076EA09Y , 4D076EA12X , 4D076EA12Y , 4D076EA14X , 4D076EA14Y , 4D076FA02 , 4D076FA04 , 4D076FA11 , 4D076FA15 , 4D076FA25 , 4D076FA33 , 4D076HA03 , 4D076HA12 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030EA13 , 4K030KA45 , 4K030LA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-024073 Applicant：株式会社東芝
特開昭64-053412
真空排気システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-151590 Applicant：株式会社荏原製作所

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