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J-GLOBAL ID：200903034814836360

固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法

Inventor： 前田 敦 ,  東谷 恵市
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999166843
Publication number (International publication number)：2000353801
Application date： Jun. 14, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 転送スイッチ部における暗電流の発生を抑制できる固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 転送スイッチM1のゲート電極層8aの下であって、素子分離絶縁層3の端部Eに隣接する半導体基板2の表面に、半導体基板2の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するp+ 不純物領域1aが形成されている。

Claim (excerpt)：

光を電気信号に変換するための光電変換素子と、前記電気信号を増幅するための増幅手段と、前記光電変換素子で変換された前記電気信号を前記増幅手段へ転送するスイッチとしての転送用絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えた、固体撮像素子を有する半導体装置であって、主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記転送用絶縁ゲート型電界効果トランジスタを他の素子から電気的に分離するために前記半導体基板の主表面に形成された分離絶縁層と、前記分離絶縁層の互いに対向する一辺側と他辺側との間に挟まれた前記半導体基板の主表面上に延在するように形成された前記転送用絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極層と、前記分離絶縁層の端部から前記転送用絶縁ゲート型電界効果トランジスタの形成領域側へ延びかつ前記ゲート電極層直下に位置するように前記半導体基板の主表面に形成され、かつ前記半導体基板の第1導電型領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の高濃度不純物領域とを備えた、固体撮像素子を有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

F-Term (22)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA03 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5F049MA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA14 ,  5F049QA11 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06 ,  5F049RA08 ,  5F049SE09