Pat

J-GLOBAL ID：200903034831247050

新規スルホニルオキシ基導入法

Inventor： 東郷 秀雄 ,  菜花 貴広 ,  太原 研二
Applicant, Patent owner： 東京化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001214490
Publication number (International publication number)：2002371054
Application date： Jun. 12, 2001
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】α-スルホニルオキシカルボニル化合物は,複素環合成の中間体などとして広く利用されている。近年,反応系内でスルホニルオキシ化剤を発生させ,α-スルホニルオキシカルボニル化合物を得る手法が盛んに研究されている。しかしながら,反応条件が限定的であることや安全性の面から,誰もが容易に利用できる手法とは言い難い。より安全かつ容易に,高収率でα-スルホニルオキシカルボニル化合物を得ることが可能な合成法が望まれている。【解決手段】芳香族複素環型超原子価ヨウ素化合物およびスルホン酸を系内で反応せしめ,カルボニル化合物のα位にスルホニルオキシ基を導入する新規スルホニルオキシ基導入法。

Claim (excerpt)：

下記構造式【化1】で示される芳香族複素環型超原子価ヨウ素化合物と下記構造式【化2】(ただし,Rはメチル基,p-ニトロフェニル基,p-トリル基,10-カンホリル基の中から選択される。)で示されるスルホン酸を系内で反応せしめ,次いでカルボニル化合物を加え,カルボニル化合物のα位にスルホニルオキシ基を導入する新規スルホニルオキシ基導入法。

IPC (4)：

C07C303/04 ,  C07B 61/00 300 ,  C07C309/73 ,  C07D231/16

FI (4)：

C07C303/04 ,  C07B 61/00 300 ,  C07C309/73 ,  C07D231/16

F-Term (13)：

4H006AA02 ,  4H006AC61 ,  4H006BA51 ,  4H006BB11 ,  4H006BB12 ,  4H006BB15 ,  4H006BB21 ,  4H006BC10 ,  4H006BC19 ,  4H006TA02 ,  4H006TB05 ,  4H039CA80 ,  4H039CD10