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J-GLOBAL ID:200903034834087267

複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 武田 元敏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992017704
Publication number (International publication number):1993217123
Application date: Feb. 03, 1992
Publication date: Aug. 27, 1993
Summary:
【要約】【目的】 高密度記憶装置であるハードディスクに用いられる薄膜MR磁気ヘッドにおいて、高Hcの記録媒体に書込みができ、かつ、バルクハウゼンノイズや外部磁場によるノイズの無い、安定した高出力の出る磁気ヘッドを簡便な工程により得る。【構成】 ハードディスク用の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも薄膜磁気抵抗素子を形成する際、基板1の上にCoTaZrNb系アモルファス合金による下部シールド層2を形成して、下地絶縁層3をSiO2にて形成した後、CoTaZrNb系アモルファス合金による軟磁性バイアス補助層4、SiO2非磁性層5、及びFe-Ni合金系MR層6を形成後、読出しトラックを除いた素子部及び引出し電極をFe-Mn合金層7、Au層8及びTi層9により形成して、その上にSiO2絶縁層10を形成し、書込み専用ヘッドの上部磁性層13及び下部磁性層11をCoTaZrNb系アモルファス合金にて形成し書込み専用ヘッドを形成する。
Claim (excerpt):
基板に磁気ギャップを有する上部磁性層および下部磁性層の両磁性層間を通り磁気回路と交差する所定巻数のコイルを形成し、該コイル相互間および該コイルと前記上部下部の両磁性層間を電気的に絶縁する積層された絶縁層でもって構成される書込み専用ヘッドと、薄膜磁気抵抗素子を読出し専用ヘッドとして使用した複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、少なくとも前記薄膜磁気抵抗素子を形成する際、前記基板の上にCoTaZrNb系アモルファス合金による下部シールド層を形成して、下地絶縁層をSiO2にて形成した後、CoTaZrNb系アモルファス合金による軟磁性バイアス補助層、SiO2非磁性層、及びFe-Ni合金系MR素子層を形成後、読出しトラックを除いた素子部及び引出し電極をFe-Mn合金層、Au層及びTi層により形成して、その上にSiO2絶縁層を形成し、前記、上部磁性層及び下部磁性層をCoTaZrNb系アモルファス合金にて形成した書込み専用ヘッドを形成したことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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