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J-GLOBAL ID：200903034842577990

シリコン窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor：
佐藤 豪一

About 佐藤 豪一


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 横山 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000266266
Publication number (International publication number)：2002075992
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 層間絶縁膜として用いて低誘電率でありまた銅(Cu)系配線と組合せるに好ましい、微細・超高集積デバイスに好適なシリコン窒化膜を、汎用される原料ガスから容易に成膜できる技術の確立が課題である。【解決手段】 原料ガスとしてモノシランとアンモニアを用い、触媒CVD法を用い、シリコン1に対して窒素を1.0〜1.1、酸素を0.1〜0.15含有し、この膜の比誘電率が6以下であるシリコン窒化膜。
Claim (excerpt)：
原料ガスとしてモノシランとアンモニアを用い、触媒CVD法を用い、シリコン1に対して窒素を1.0〜1.1、酸素を0.1〜0.15含有し、この膜の比誘電率が6以下であるシリコン窒化膜。
IPC (6)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (7)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 K
F-Term (73)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA17 ,  4K030JA20 ,  4K030KA49 ,  4K030LA02 ,  5F033HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR00 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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