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J-GLOBAL ID：200903034855525248
光起電力素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996224673
Publication number (International publication number)：1998056192
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高反射率で高信頼性の反射層を有し、光電気変換率の高い光起電力素子の製造方法を提供する【解決手段】 基板上に反射層を設け、その上に透明導電層、半導体層および透明電極層を少なくとも設けてなる光起電力素子の製造方法において、該反射層を、金属および/または金属含有物をターゲット208とし、真空容器201内にスパッタガスを供給し、基板204にバイアス直流電圧(207電源)を変化させつつ印加してスパッタリングを施すことにより形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に反射層を設け、その上に透明導電層、半導体層および透明電極層を少なくとも設けてなる光起電力素子の製造方法において、該反射層を、金属および/または金属含有物をターゲットとし、真空容器内にスパッタガスを供給し、基板にバイアス直流電圧を変化させつつ印加してスパッタリングを行うことにより形成することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 31/04
, C23C 14/14
, H01L 21/203
, H01L 21/285
H01L 31/04 F
, C23C 14/14 B
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 C
