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J-GLOBAL ID：200903034858068875

表面処理方法及び表面処理装置

Inventor：
東野 秀史

About 東野 秀史

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米元 公彦

About 米元 公彦

, 
菅野 仁

About 菅野 仁


Applicant, Patent owner：
芝浦メカトロニクス株式会社

About 芝浦メカトロニクス株式会社


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005210171
Publication number (International publication number)：2007027564
Application date： Jul. 20, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：
【課題】 本発明は、基板表面もしくは薄膜上に、簡単に、その大きさや分布の詳細な制御がされた凹凸面を形成することのできる、表面処理方法及び表面処理装置を提供する。【解決手段】 被処理物上に微粒子を散布する工程と、前記微粒子をマスクとして、前記被処理物をプラズマ処理する工程と、を備えたことを特徴とする表面処理方法を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理物上に微粒子を散布する工程と、 前記微粒子をマスクとして、前記被処理物をプラズマ処理する工程と、 を備えたことを特徴とする表面処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  C23C 24/08
FI (2)：
H01L21/302 105A ,  C23C24/08 A
F-Term (20)：
4K044AA13 ,  4K044AB10 ,  4K044BA14 ,  4K044BA20 ,  4K044BB01 ,  4K044BB14 ,  4K044BC08 ,  4K044CA24 ,  4K044CA29 ,  4K044CA41 ,  5F004AA16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 粗面ポリシリコン膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-015638   Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
  • 表面加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-327766   Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (2)

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