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J-GLOBAL ID：200903034868470957

配線形成法

Inventor： 山葉 隆久 ,  日比野 三十四 ,  内藤 勝
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993271335
Publication number (International publication number)：1995106283
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Al合金層等を含む配線の形成法において、接続部でのAl合金のカバレッジ低下を抑制する。【構成】 半導体基板10上に不純物ドープ領域12を覆って形成した絶縁膜14に接続孔を形成した後、下から順にTi層16とTiN層(又はTiON層)18とAl合金層(例えばAl-Si-Cuの合金層)20とを含む配線材層をスパッタリング法で形成する。そして、配線材層を所望の配線パターンに従ってパターニングすることにより配線層を得る。Al合金層をスパッタリング法で形成する際に基板温度を100°C〜150°Cに設定することでAl合金カバレッジ率が0%となる個所をなくすことができる。

Claim (excerpt)：

基板上に被接続部を覆って絶縁膜を形成した後該絶縁膜に該被接続部に対応した接続孔を形成する工程と、前記接続孔及び前記絶縁膜を覆って下から順にTi層とTiN又はTiON層とAl合金層とを含む配線材層をスパッタリング法で形成する工程と、前記配線材層を所望の配線パターンに従ってパターニングすることにより配線層を形成する工程とを含む配線形成法であって、前記Al合金層をスパッタリング法で形成する際に基板温度を100°C〜150°Cの範囲内に設定することを特徴とする配線形成法。

IPC (3)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C