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J-GLOBAL ID：200903034882424070

化合物半導体装置の製造方法

Inventor： 石村 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333047
Publication number (International publication number)：1993166748
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 III -V族化合物半導体基板の裏面ないし側面に金属層を安定に被着させ、接着強度、信頼性の優れた金属層を備えた半導体装置を製造する。【構成】 周期律表第III 族及び第V族に属する元素からなる化合物半導体の一方の主面に能動部を形成する工程と、前記能動部を形成した主面の反対側の主面、もしくは側面、もしくは前記能動部が形成された主面とは異なる主面側から形成されたビアホール内面に対し、その表面に硫化アンモニウム処理を施す工程と、前記硫化アンモニウム処理を施した表面に金属層を被着する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

周期律表第III 族及び第V族に属する元素からなる化合物半導体の一方の主面に能動部を形成する工程と、前記能動部を形成した主面の反対側の主面、もしくは側面、もしくは前記能動部が形成された主面とは異なる主面側から形成されたビアホール内面に対し、その表面に硫化アンモニウム処理を施す工程と、前記硫化アンモニウム処理を施した表面に金属層を被着する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/44 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-192119
  
• 特開平2-187029
  
• 特開平2-137370
  
• 特開平4-296068