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J-GLOBAL ID:200903034887039337

ガス吸着材及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田中 敏博 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999007888
Publication number (International publication number):2000202283
Application date: Jan. 14, 1999
Publication date: Jul. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 安定したガス吸着能を有し、しかも合成の再現性に優れるガス吸着材を提供する。【解決手段】 イソフタル酸銅(II)錯体は、本発明のガス吸着材の一種である。この錯体は、合成直後のみならず室温で放置した後も安定したガス吸着能を示し、また、同じ合成手順で合成したものはほぼ同じガス吸着能を有するため再現性にも優れている。
Claim (excerpt):
遷移金属イオンと、該遷移金属イオンと配位結合し得る官能基が1,3-又は1,2-の位置に存する環式炭化水素とにより形成された有機金属錯体を主成分とするガス吸着材。
IPC (2):
B01J 20/22 ,  C07F 1/08
FI (2):
B01J 20/22 A ,  C07F 1/08 B
F-Term (26):
4G066AA15A ,  4G066AA15B ,  4G066AB03B ,  4G066AB06A ,  4G066AB07A ,  4G066AB07B ,  4G066AB24B ,  4G066CA27 ,  4G066CA51 ,  4G066DA04 ,  4G066FA03 ,  4G066FA34 ,  4G066FA37 ,  4H048AA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB80 ,  4H048AC90 ,  4H048AD17 ,  4H048BB14 ,  4H048BB17 ,  4H048BC10 ,  4H048VA00 ,  4H048VA10 ,  4H048VA20 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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