Pat
J-GLOBAL ID:200903034888652997

リチウム2次電池用正極の製造方法及びリチウム2次電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996017478
Publication number (International publication number):1997213309
Application date: Feb. 02, 1996
Publication date: Aug. 15, 1997
Summary:
【要約】【課題】 簡易な方法で導電性に優れ、ばらつきの少ない正極材料を製造可能とする。【解決手段】 リチウムを吸蔵放出可能な化合物と導電性物質及びバインダー樹脂を含む正極材料により集電体上に正極層を形成してなるリチウム2次電池用正極の製造方法であって、導電性物質、バインダー樹脂及び溶剤を含む混合物を混合物の溶剤濃度が70〜90重量%、最大せん断速度が1.0×102 [s-1]以上、1.0×103 [s-1]以下、混練時間が5〜100分の条件下にて混練する混練工程と、該工程を経て得られたものとリチウムを吸蔵放出可能な化合物とを混練する混練工程を有することを特徴とするリチウム2次電池用正極層の製造方法。
Claim (excerpt):
リチウムを吸蔵放出可能な化合物と導電性物質及びバインダー樹脂を含む正極材料により集電体上に正極層を形成してなるリチウム2次電池用正極の製造方法であって、導電性物質、バインダー樹脂及び溶剤を含む混合物を混合物の溶剤濃度が70〜90重量%、最大せん断速度が1.0×102 [s-1]以上、1.0×103 [s-1]以下、混練時間が5〜100分の条件下にて混練する混練工程と、該工程を経て得られたものとリチウムを吸蔵放出可能な化合物とを混練する混練工程を有することを特徴とするリチウム2次電池用正極層の製造方法。
IPC (4):
H01M 4/04 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/62 ,  H01M 10/40
FI (4):
H01M 4/04 A ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/62 Z ,  H01M 10/40 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

Return to Previous Page