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J-GLOBAL ID：200903034889671480

光蓄電電極、その製造方法及び光蓄電池

Inventor：
野見山 輝明

About 野見山 輝明

, 
堀江 雄二

About 堀江 雄二


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 鹿児島大学

About 国立大学法人 鹿児島大学


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007082111
Publication number (International publication number)：2008243573
Application date： Mar. 27, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】蓄電性能を向上させ、また、容易に製造することができる光蓄電電極、その製造方法及び光蓄電池を提供する。【解決手段】光蓄電電極1では、基板1c上に導電性高分子膜1aが形成され、導電性高分子膜1a中に光触媒粒子1bが分散している。光蓄電電極1に光が照射されると、光触媒粒子1bにおいて電子及び正孔が励起され、これらが電解液と導電性高分子膜1aとの間に酸化還元反応を誘発する。この結果、導電性高分子膜1aを構成するポリアニリン等の高分子の主鎖に、電解液中の水素イオン(プロトン)が取り込まれる。また、重合時に高分子の主鎖中に取り込まれた硫酸イオン等のアニオンが脱離することもある。このようにして、蓄電が行われる。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
導電性高分子膜と、 前記導電性高分子膜内に分散し、光が照射されると電解質と前記導電性高分子膜との間に酸化還元反応を誘発する複数の光触媒粒子と、 を有することを特徴とする光蓄電電極。
IPC (3)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  B01J 35/02
FI (3)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  B01J35/02 J
F-Term (29)：
4G169AA02 ,  4G169BA04B ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA48A ,  4G169BB04B ,  4G169BB09B ,  4G169BC35B ,  4G169BC36B ,  4G169BC60B ,  4G169BD09B ,  4G169CC40 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HB06 ,  4G169HB10 ,  4G169HE20 ,  5F051AA14 ,  5F051JA17 ,  5H032AA06 ,  5H032AA07 ,  5H032AS16 ,  5H032AS17 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC14 ,  5H032CC28 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04
Patent cited by the Patent：
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