Pat

J-GLOBAL ID：200903034911560876

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： 上村 俊也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000192292
Publication number (International publication number)：2002016288
Application date： Jun. 27, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【目的】 III族窒化物系化合物半導体発光素子の発光観察面における均一発光を達成する。【構成】 透光性電極を絶縁部で区切って複数の電流拡散経路を形成して各電流拡散経路の抵抗を区切る前のプレーンな透光性電極自体より高くする。これにより、電流拡散経路の電流は当該電流拡散経路から半導体層側へ流れ込み易くなり、電流は一極に集中することなく半導体層の全面へ均等に分配される。

Claim (excerpt)：

透光性電極が絶縁部で区切られて複数の電流拡散経路が形成され、前記各電流拡散経路の第1の端部はp型台座電極に接続されて該p型台座電極からの電流が前記各電流拡散経路へ分配される、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

F-Term (12)：

5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98