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J-GLOBAL ID：200903034912238730
プラズマイオン注入装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202497
Publication number (International publication number)：1995169437
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、プラズマイオン注入装置中で発生される2次電子による有害なX線の生成を防止し、効率の低下を減少させることを目的とする。【構成】 内部に対象物70' を収容する真空室52' と、陰極60' と陽極64' とを有し対象物70' の付近にプラズマを生成するプラズマ源58' と、対象物70' と真空室52' の壁との間に位置されている導電性材料で形成された包囲体74' と、陽極電位に関して対象物70' を電気的にバイアスする第1の電気的バイアス手段94' と、包囲体74' を電気的にバイアスする第2の電気的バイアス手段94' とを具備していることを特徴とする。この包囲体74' は発生した2次電子を反発してX線の生成を防止すると共にプラズマ中を反復して走行させ、プラズマでそのエネルギを吸収して2次電子発生に使用されたエネルギを回収する。
Claim (excerpt)：
真空室の壁の内部において対象物を受けるように構成された真空室と、プラズマ源陰極と、選択されたプラズマ源陽極電位で動作するプラズマ源陽極とを有する対象物の付近にプラズマを生成するように位置されているプラズマ源と、対象物と真空室の壁との間に位置されており、導電性材料から形成されている包囲体と、プラズマ源陽極電位に関して対象物電位に対象物を電気的にバイアスするための第1の電気的バイアス手段と、対象物電位の正の倍数である包囲体電位に包囲体を電気的にバイアスするための第2の電気的バイアス手段とを具備していることを特徴とするプラズマイオン注入装置。
IPC (5)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 27/04
, H01J 37/08
, H01L 21/265
