Pat

J-GLOBAL ID：200903034913998518

放射線検出装置およびその製造方法

Inventor： 長野 和美 ,  田村 知之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002014198
Publication number (International publication number)：2003215256
Application date： Jan. 23, 2002
Publication date： Jul. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 放射線検出装置の高感度化・高鮮鋭度化を目的とする。バインダのない蛍光体層の製造方法を提供する。充填率を5〜40%の蛍光体層の製造方法を提供する。超高温工程のない製造方法を提供することによって目的を実現する。【解決手段】 蛍光体層をガスデポジション法を用いて形成した放射線検出装置およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

放射線を可視光に変換する蛍光体層と、複数の光電変換素子からなり前記蛍光体層で変換された光を検出する光検出器とを有する放射線検出装置において、前記蛍光体層は、蛍光体粒子を基板に高速衝突させて堆積するようにした成膜法を用いたことを特徴とする放射線検出装置。

IPC (6)：

G01T 1/20 ,  G21K 4/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335

FI (7)：

G01T 1/20 K ,  G01T 1/20 E ,  G21K 4/00 B ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K

F-Term (31)：

2G083AA04 ,  2G083AA08 ,  2G083BB01 ,  2G083CC02 ,  2G083DD11 ,  2G083DD12 ,  2G083DD19 ,  2G083EE02 ,  2G083EE03 ,  2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CB11 ,  4M118EA20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  5C024AX12 ,  5C024CY47 ,  5F049MA01 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA07