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J-GLOBAL ID：200903034920624038
絶縁膜の製造方法と製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278188
Publication number (International publication number)：1994101048
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板表面において、反応に寄与するオゾンおよび/または酸素を含むガスの濃度を高め、絶縁膜を形成するための反応を基板表面に集中させ、パーティクルの発生を抑制し、優れた膜質の絶縁膜を製造すること。【構成】 本発明に係るCVD装置のインジェクター20は、基板2に向けてソースガスを吹き出す第1吹出口26と、この第1吹出口26の両側に設けられ、基板2に向けて窒素ガスなどの不活性ガスを吹き出す第2吹出口28と、これら第2吹出口28の外側に設けられ、基板2に向けてオゾンおよび/または酸素を含むガスを吹き出す第3吹出口30と、これら第3吹出口30の外側に設けられ、基板2に向けて窒素ガスなどの不活性ガスを吹き出す第4吹出口32とを少なくとも有する。
Claim (excerpt)：
基板上に絶縁膜を化学気相成長法により製造する絶縁膜の製造方法において、インジェクターの中央から基板に向けてソースガスを吹き出し、その両側から、酸素を含むガスを、不活性ガスにより分離して基板上に吹き出し、最外側から不活性ガスを吹き出し、ソースガスと酸素を含むガスとの反応により基板上に絶縁膜を成膜することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
IPC (2)：
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