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J-GLOBAL ID：200903034931529355

光電変換素子およびその製造方法

Inventor：
大橋 良太

About 大橋 良太

, 
田 透

About 田 透


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006230570
Publication number (International publication number)：2008053615
Application date： Aug. 28, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：
【課題】ショットキー電極の形状を工夫することにより変換効率の向上した、ショットキー障壁型の光電変換素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】ショットキー電極と、該ショットキー電極に接して設けられた半導体受光層と、該半導体受光層と接して設けられた透明電極と、を有する構成の光電変換素子であって、該ショットキー電極は、周期的な凹凸構造を有し、該半導体受光層は、該ショットキー電極の凹凸構造を有する面側に接触して配置されており、及び、前記ショットキー電極の凹凸構造の高低差は、隣接する凸部の周期間隔の1/20以上1/5以下の範囲にあることを特徴とする光電変換素子。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ショットキー電極と、該ショットキー電極に接して設けられた半導体受光層と、該半導体受光層と接して設けられた透明電極と、を有する構成の光電変換素子であって、 該ショットキー電極は、周期的な凹凸構造を有し、該半導体受光層は、該ショットキー電極の凹凸構造を有する面側に接触して配置されており、及び、該ショットキー電極の凹凸構造の高低差は、隣接する凸部の周期間隔の1/20以上1/5以下の範囲にあることを特徴とする光電変換素子。
IPC (4)：
H01L 31/108 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L31/10 C ,  H01L29/44 S ,  H01L29/48 F
F-Term (17)：
4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104GG05 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB07 ,  5F049PA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
  • 特開昭59-108376
  • 特開平2-129616
  • ナノ構造体及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-093129   Applicant：キヤノン株式会社
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