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J-GLOBAL ID:200903034944343145

混成集積回路基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 碓氷 裕彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994233395
Publication number (International publication number):1995212010
Application date: Mar. 26, 1987
Publication date: Aug. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 銅めっき層の膜厚を規定することにより、銅めっき層上の半田濡れ性を向上するとともに、導体材料との接合強度を強くし、さらに、めっきの膨れを抑制する。【構成】 基板上に多孔質な導体材料を形成し、その導体材料の少なくとも一部を覆うように、その膜厚が2μm乃至4μmの範囲である銅によるめっき層を導体材料上に直接形成し、めっき層上に半田を形成し、半田にフリップチップ等の素子を電気接続している。
Claim (excerpt):
焼結する事により形成される基板と、前記基板に印刷され前記基板の焼結温度より高温の融点を有し、多孔質な導体材料と、その膜厚が2μm乃至4μmの範囲であり、前記導体材料の少なくとも一部を覆うように、前記導体材料上に直接形成された銅によるめっき層と、前記めっき層において、前記基板上に配置される素子との接続部上に形成される半田と、を備えた事を特徴とする混成集積回路基板。
IPC (3):
H05K 3/24 ,  H05K 3/12 ,  H05K 3/46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭58-130590
  • 特公昭59-038314

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