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J-GLOBAL ID：200903034946081130

固体撮像素子

Inventor：
河合 真一

About 河合 真一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000170965
Publication number (International publication number)：2001352052
Application date： Jun. 07, 2000
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：
【要約】【課題】 飽和領域では入射光量の変化に対し蓄積電荷量の変化が小さいので、雑音による出力信号の変動に対し、蓄積電荷の変化量が小さいと、SN比の悪い再生画像となる。【解決手段】 光電変換部502のうち半導体基板500側の一部に他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域101を形成する。これによって、P- 型ウェル501と光電変換部502の結合容量C51を大きくし、蓄積電荷の変化量を大きくする。
Claim (excerpt)：
光電変換部に発生した過剰電荷を掃き出すオーバーフロードレインを備えた固体撮像素子において、前記光電変換部のうち前記オーバーフロードレイン側の一部に他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域を形成したことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
F-Term (30)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA02 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA14 ,  4M118FA19 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX18 ,  5C024GY03 ,  5C024GY04 ,  5C024GY05 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ03 ,  5F049MA15 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049SZ10 ,  5F049UA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 固体撮像素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-102412   Applicant：ソニー株式会社
  • 固体撮像素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-090175   Applicant：ソニー株式会社
  • 固体撮像素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-290004   Applicant：三洋電機株式会社
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