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J-GLOBAL ID：200903034947709698

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 新田 康一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996230512
Publication number (International publication number)：1997129928
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 短時間で製造でき、歩留まりのよい半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SOS-DRAM、あるいは青色LED等のサファイア基板上に形成された半導体装置であって、このサファイア基板はその光学的な透過率が60%以上となるように表面を研磨されている。LEDとしては、たとえばサファイア基板上に第1導電型のGaN系半導体から成る第1のクラッド層と、故意には不純物を添加していないGaN系半導体から成る活性層と、第2導電型のGaN系半導体から成る第2のクラッド層が、積層された構造を有する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、該サファイア基板の上部に形成された第1導電型の半導体単結晶層と、該第1導電型の半導体単結晶層の上部又は内部に設けられた第2導電型の半導体領域とを少なくとも具備し、該サファイア基板の表面粗さは、プローブ法で10nm以下の凹凸に相当する表面粗さを有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/86 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/86 ,  H01L 27/10 671 C