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J-GLOBAL ID：200903034949337313

磁性薄膜多層電極、高周波伝送線路、高周波共振器及び高周波デバイス

Inventor： 石川 容平 ,  日高 青路 ,  松井 則文
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239512
Publication number (International publication number)：1999088015
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 作製した後に電気特性の調整が可能な磁性薄膜多層電極及びそれを用いた種々の高周波共振器、高周波伝送線路、高周波デバイスを提供する。【解決手段】 誘電体基板上に、薄膜導体と薄膜絶縁体膜とが交互に積層されてなり、所定の使用周波数において、上記誘電体基板に生じる電磁界の位相と上記各薄膜絶縁膜に生じる電磁界の位相とが互いに実質的に一致するように構成された薄膜多層電極であって、上記薄膜導体と上記薄膜絶縁体膜のうちの少なくとも一方を磁性材料で構成する。

Claim (excerpt)：

誘電体基板上に、薄膜導体と薄膜絶縁体膜とが交互に積層されてなり、所定の使用周波数において、上記誘電体基板に生じる電磁界の位相と上記各薄膜絶縁膜に生じる電磁界の位相とが互いに実質的に一致するように構成された薄膜多層電極であって、上記薄膜導体と上記薄膜絶縁体膜のうちの少なくとも一方は磁性材料であることを特徴とする磁性薄膜多層電極。

IPC (4)：

H01P 3/18 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/00 ,  H01P 7/08

FI (4)：

H01P 3/18 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/00 B ,  H01P 7/08