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J-GLOBAL ID：200903034951902788

成膜方法及び成膜装置

Inventor： 坂本 仁志 ,  上田 憲照 ,  杉野 隆
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社 ,  杉野 隆
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001093499
Publication number (International publication number)：2002293516
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 窒化ホウ素膜を成膜できるようにする。【解決手段】 成膜室2内にプラズマ10を生成し、成膜室2内で窒素ガス11を主に励起した後に水素ガス希釈のジボランガス13を反応させ、基板4に窒化ホウ素膜15を成膜し、機械的・化学的耐性に優れ、熱伝導性の高い比誘電率κである低比誘電率の窒化ホウ素膜15を高速に成膜する。

Claim (excerpt)：

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素ガスを主に励起した後に水素ガス希釈のジボランガスを反応させ、基板に窒化ホウ素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C01B 21/064 ,  C23C 16/38 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C01B 21/064 D ,  C23C 16/38 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/31 Z

F-Term (26)：

4K030AA07 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA39 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045BB08 ,  5F045CB05 ,  5F045DP04 ,  5F045EE02 ,  5F045EE12 ,  5F045EH02 ,  5F045EM05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-079769
  
• 特開昭64-017867
  
• 特開昭63-083273
  
• 特開平3-008705
  
• 特開平2-248307