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J-GLOBAL ID:200903034952759040
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
後藤 幸久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001186493
Publication number (International publication number):2002201232
Application date: Jun. 20, 2001
Publication date: Jul. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性、基板密着性及びアルカリ可溶性を示すと共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に対して溶解性の高いフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 フォトレジスト用高分子化合物は、(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含む。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
Claim (excerpt):
(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含むフォトレジスト用高分子化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
IPC (3):
C08F220/28
, C08J 3/14
, G03F 7/039 601
FI (3):
C08F220/28
, C08J 3/14
, G03F 7/039 601
F-Term (29):
2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BC86
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CB52
, 2H025CC03
, 2H025FA17
, 4F070AA32
, 4F070DA22
, 4F070DC11
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100BA03Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC53P
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-321347
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-321348
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-315265
Applicant:住友化学工業株式会社
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