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J-GLOBAL ID:200903034952759040

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 後藤 幸久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001186493
Publication number (International publication number):2002201232
Application date: Jun. 20, 2001
Publication date: Jul. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性、基板密着性及びアルカリ可溶性を示すと共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に対して溶解性の高いフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 フォトレジスト用高分子化合物は、(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含む。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
Claim (excerpt):
(A)下記式(I)で表されるモノマーユニットを22〜40モル%、(B)下記式(II)で表されるモノマーユニットを20〜38モル%、及び(C)下記式(IIIa)及び(IIIb)から選択された少なくとも1種のモノマーユニットを22〜58モル%含むフォトレジスト用高分子化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基を示す)
IPC (3):
C08F220/28 ,  C08J 3/14 ,  G03F 7/039 601
FI (3):
C08F220/28 ,  C08J 3/14 ,  G03F 7/039 601
F-Term (29):
2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC86 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4F070AA32 ,  4F070DA22 ,  4F070DC11 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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