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J-GLOBAL ID：200903034963422315

Si基板誘電体薄膜構造

Inventor：
川崎 雅司

About 川崎 雅司

, 
鯉沼 秀臣

About 鯉沼 秀臣


Applicant, Patent owner：
新技術事業団

About 新技術事業団


Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994195829
Publication number (International publication number)：1996064780
Application date： Aug. 19, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【構成】 Si基板上に誘電体薄膜を配設した構造であって、Si基板表面上には下部層もしくは中間層としてTiN層が介在されている。また、このTiN層がTiO2 層に変化された構造。【効果】 結晶性が良く、誘電率が向上する他、強誘電体膜の作成も可能となる。DRAMのキャパシターの小型化や強誘電体膜の電荷保持を利用したFRAM(不揮発性メモリーの一種)の作製等に有用なものとなる。
Claim (excerpt)：
Si基板上に誘電体薄膜を配設した構造であって、Si基板表面上には下部層もしくは中間層としてTiN層が介在されていることを特徴とするSi基板誘電体薄膜構造。
IPC (8)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3)：
H01L 27/10 651 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-061334
  • 強誘電体を備えた半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-171123   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-007234   Applicant：三菱電機株式会社
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