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J-GLOBAL ID：200903034966637843

SiC発光素子及びその製造方法

Inventor： 渡辺 幸雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237613
Publication number (International publication number)：1995094779
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、製造工程の簡略化ならびに発熱の低減を達成し得るSiC発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、n型のSiC基板14の(0001)面に液相成長によ【外1】り形成されたn型のSiC層16と、SiC基板14の面に第1のSiC層16よりも薄くかつ高濃度に第1のSiC層16と同時に液相成長により形成されたn型のSiC層17と、液相成長によりSiC層16上にのみ形成されたp型のSiC層18とから構成される。

Claim (excerpt)：

第1導電型のSiC基板の(0001)面に液相成長により形成された第1導電型の第1のSiC層と、【外1】SiC層と同時に液相成長により形成された第1導電型の第2のSiC層と、液相成長により第1のSiC層上にのみ形成された第2導電型のSiC層とを有することを特徴とするSiC発光素子。