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J-GLOBAL ID：200903034974970292

CCD固体撮像素子およびその製造方法

Inventor： 水嶌 一嘉
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314254
Publication number (International publication number)：1993152557
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スミア特性を改善したCCD固体撮像素子を提供する。【構成】 第2のゲート絶縁膜8上に第1の半導体膜9とシリサイド膜10を堆積した後、第2の半導体膜14を堆積し、転送電極7を遮光するようにパターンニングして第1の遮光膜とする。第1の遮光膜上に例えばボロンフォスフォシリケートガラスで形成された層間絶縁膜11をパイロ雰囲気で熱処理することによってパイロフローして層間絶縁膜11の最上面を平坦化する。このときパイロ雰囲気中から層間絶縁膜11中を拡散したH2Oは第2の半導体膜14を酸化することで消費されるのでシリサイド膜10を酸化することはなく、CCD固体撮像素子にスミア特性の劣化を生じない。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、その半導体基板の一主面に形成されたフォトダイオードおよび転送チャンネルと、そのフォトダイオードおよび転送チャンネルの表面を含む前記半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、その第1のゲート絶縁膜を介して前記転送チャンネル上に形成された転送電極と、その転送電極の表面に形成された第2のゲート絶縁膜と、その第2のゲート絶縁膜を覆うように形成された第1の遮光膜と、その第1の遮光膜上を少なくとも含む領域に形成された層間絶縁膜とを少なくとも有するCCD固体撮像素子において、前記第1の遮光膜が第1の半導体膜、シリサイド膜および第2の半導体膜からなることを特徴とするCCD固体撮像素子。